การแนะนำข้อดีการเคลือบของอุปกรณ์เคลือบสูญญากาศแมกนีตรอนสปัตเตอร์- Ningbo Honyu Vacuum Technology Co., Ltd.

อุปกรณ์เคลือบสูญญากาศ เทคโนโลยีการเคลือบแบ่งออกเป็นสามทิศทางทั่วไป เทคโนโลยีการเคลือบการระเหย เทคโนโลยีการเคลือบไอออน อุปกรณ์การเคลือบแมกนีตรอนสปัตเตอร์ เทคโนโลยีการเคลือบแต่ละอย่างมีข้อดีและข้อเสีย การเคลือบพื้นผิวที่แตกต่างกัน เป้าหมายที่แตกต่างกัน เทคโนโลยีการเคลือบที่เลือกแตกต่างกัน อุปกรณ์ทางเทคนิคของการเคลือบแมกนีตรอนสปัตเตอร์มักเรียกว่าอุปกรณ์เคลือบแมกนีตรอนสปัตเตอร์ในตลาดและอุปกรณ์เทคโนโลยีการเคลือบไอออนเรียกว่าอุปกรณ์เคลือบสูญญากาศไอออน ในทำนองเดียวกันอุปกรณ์เทคโนโลยีการเคลือบแบบระเหยเรียกว่าอุปกรณ์เคลือบสูญญากาศแบบระเหย หวังว่ามันจะช่วยคุณได้:

อุปกรณ์เคลือบสูญญากาศ

ข้อได้เปรียบหลักของกระบวนการเคลือบด้วยแมกนีตรอนคือสามารถใช้กระบวนการเคลือบแบบรีแอกทีฟหรือไม่ทำปฏิกิริยาเพื่อฝากชั้นของวัสดุเหล่านี้ด้วยการควบคุมองค์ประกอบของชั้น ความหนาของฟิล์ม ความสม่ำเสมอของความหนาของฟิล์ม และคุณสมบัติทางกลของฟิล์ม เป็นต้น ดังนั้น ชั้นเคลือบในตลาดมีความต้องการค่อนข้างสูงสำหรับชั้นฟิล์ม และเกือบทั้งหมดรับรู้ได้จากเทคโนโลยีการเคลือบแมกนีตรอนสปัตเตอร์ เทคโนโลยีการเคลือบแมกนีตรอนสปัตเตอร์มีข้อดีดังต่อไปนี้

1. อัตราการตกตะกอนอยู่ในระดับสูง เนื่องจากการใช้อิเล็กโทรดแมกนีตรอนความเร็วสูง กระแสไอออนที่มีอยู่จึงมีขนาดใหญ่มาก ซึ่งช่วยปรับปรุงอัตราการสะสมและอัตราการสปัตเตอร์ของกระบวนการเคลือบของกระบวนการนี้ได้อย่างมีประสิทธิภาพ แมกนีตรอนสปัตเตอริงมีผลผลิตสูงและผลผลิตสูงเมื่อเทียบกับกระบวนการเคลือบอื่นๆ และใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตภาคอุตสาหกรรมต่างๆ

2. ประสิทธิภาพการใช้พลังงานสูง โดยทั่วไป เป้าหมายการสปัตเตอร์ของแมกนีตรอนจะเลือกแรงดันไฟฟ้าในช่วง 200V-1000V ซึ่งปกติคือ 600V เนื่องจากแรงดันไฟฟ้า 600V อยู่ในช่วงประสิทธิภาพพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูงสุด

3. พลังงานสปัตเตอร์ต่ำ การประยุกต์ใช้แรงดันไฟฟ้าเป้าหมายของแมกนีตรอนต่ำ และสนามแม่เหล็กจำกัดพลาสมาไว้ใกล้กับแคโทด ป้องกันไม่ให้อนุภาคที่มีประจุพลังงานสูงตกกระทบบนพื้นผิว

4. อุณหภูมิพื้นผิวต่ำ แอโนดสามารถใช้ในการนำอิเล็กตรอนที่สร้างขึ้นในระหว่างการคายประจุ โดยไม่ต้องต่อสายดินกับฐานรองรับ ซึ่งสามารถลดการทิ้งระเบิดของสารตั้งต้นด้วยอิเล็กตรอนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ดังนั้นอุณหภูมิของสารตั้งต้นจึงต่ำลง ซึ่งเหมาะมากสำหรับบางคน พื้นผิวพลาสติกที่ไม่ทนต่ออุณหภูมิสูง

5. พื้นผิวของชิ้นงานแมกนีตรอนสปัตเตอร์ถูกสลักอย่างไม่สม่ำเสมอ การแกะสลักที่ไม่สม่ำเสมอบนพื้นผิวของชิ้นงานแมกนีตรอนสปัตเตอร์เกิดจากสนามแม่เหล็กที่ไม่สม่ำเสมอของชิ้นงาน อัตราการกัดเซาะเฉพาะของชิ้นงานมีขนาดค่อนข้างใหญ่ ดังนั้นอัตราการใช้ที่มีประสิทธิภาพของวัสดุเป้าหมายจึงต่ำ (อัตราการใช้งานเพียง 20%-30%) ดังนั้น เพื่อปรับปรุงอัตราการใช้ประโยชน์ของวัสดุเป้าหมาย จำเป็นต้องเปลี่ยนการกระจายสนามแม่เหล็กด้วยวิธีการบางอย่าง หรือใช้แม่เหล็กเพื่อเคลื่อนที่ในแคโทด ซึ่งสามารถปรับปรุงอัตราการใช้วัสดุเป้าหมายได้

6. เป้าหมายคอมโพสิต สามารถผลิตฟิล์มโลหะผสมเป้าหมายคอมโพสิตได้ ในปัจจุบัน กระบวนการสปัตเตอร์แมกนีตรอนแบบผสมเป้าหมายได้ชุบโลหะผสม Ta-Ti, (Tb-Dy) -Fe และ Gb-Co เรียบร้อยแล้ว โครงสร้างของเป้าหมายคอมโพสิตมีสี่ประเภท ได้แก่ เป้าหมายโมเสคบล็อกกลม เป้าหมายโมเสคสี่เหลี่ยม เป้าหมายโมเสคสี่เหลี่ยมเล็ก และเป้าหมายโมเสครูปพัดลม ซึ่งโครงสร้างเป้าหมายโมเสครูปพัดลมมีการใช้งานที่ดีที่สุด ผล.

7. แอพพลิเคชั่นที่หลากหลาย มีองค์ประกอบหลายอย่างที่สามารถฝากโดยกระบวนการแมกนีตรอนสปัตเตอร์ได้ องค์ประกอบทั่วไปคือ: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh , Si, Ta , Ti, Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO เป็นต้น

อุปกรณ์เคลือบสูญญากาศ เทคโนโลยีการเคลือบแมกนีตรอนเป็นกระบวนการเคลือบที่ใช้กันอย่างแพร่หลายมากที่สุดในบรรดาเทคโนโลยีฟิล์มบางคุณภาพสูง ฟิล์มมีหลากหลายประเภท ความหนาของฟิล์มควบคุมได้สูง การยึดเกาะของฟิล์มสูง ความกะทัดรัดดี และพื้นผิว การเคลือบก็สวยงามมากเช่นกัน

เครื่องมือและแม่พิมพ์เครื่องเคลือบสูญญากาศ